轨道蚀刻技术基础介绍

轨道蚀刻技术基础介绍

聚合物原料薄膜的发束

重离子由离子源产生,然后由回旋加速器加速至高达4 MeV/uma的能量。

对于光束,聚合物薄膜在真空下通过扫描离子束以恒定速度解绕;因此,轨迹密度(或所需的孔密度)由离子束强度和薄膜速度精确定义。

薄膜被拉过弯曲辊以增加轨道的角度展开,从而通过避免平行的双轨道来提高膜过滤器的选择性。

轨道蚀刻技术基础介绍

束状聚合物薄膜的化学蚀刻

在光束过程中产生的线性轨迹主要以大分子链断裂、高度亲水化学基团和自由真空为特征。

因此,轨道比周围的本体聚合物对化学物质更敏感,并且可以选择性地蚀刻,导致它们暴露在孔隙中。

轨道蚀刻技术基础介绍

化学蚀刻通常使用浓度和温度控制良好的碱性水溶液进行。 它的主要特点是轨道蚀刻速率(Vt)和体蚀刻速率(Vg). 高比率Vt/Vg 需要获得具有圆柱形孔的均匀膜过滤器。

孔径由蚀刻条件定义,而孔密度由光束参数定义。 因此,孔径和孔密度可以独立选择。